近期，來自上海金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）的中微半導體設備（上海）有限公司傳來消息，該公司自主研制的5納米等離子體刻蝕機經(jīng)臺積電驗證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。這意味著國產(chǎn)半導體設備力量正在逐漸壯大。
據(jù)了解，在芯片制造眾多環(huán)節(jié)中，薄膜沉積、光刻和刻蝕是3個核心環(huán)節(jié)，用于這3個環(huán)節(jié)的3種設備合計占芯片制造生產(chǎn)線設備投資總額的50%-70%。其中，等離子體刻蝕機是用來按光刻機刻出的電路結構，在硅片上進行微觀雕刻，刻出溝槽或接觸孔的設備。刻蝕技術的高低直接決定了芯片制程的大小，在成本上僅次于光刻。而5納米相當于頭發(fā)絲直徑的兩萬分之一，是目前芯片制程工藝最小線寬，對刻蝕機的控制精度提出超高要求。
中微半導體聯(lián)合創(chuàng)始人倪圖強表示，中微半導體與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)，組成了國際第一梯隊，為7納米芯片生產(chǎn)線供應刻蝕機，如今通過臺積電驗證的5納米刻蝕機，預計能獲得比7納米更大的市場份額。
根據(jù)臺積電對外公布的信息，該公司將于2019年進行5納米制程試產(chǎn)、預計2020年量產(chǎn)。
一位業(yè)內人士指出，作為臺積電長期穩(wěn)定的設備供應商，中微半導體在臺積電量產(chǎn)28納米制程時兩者就已開始合作并一直延續(xù)至今。這次5納米生產(chǎn)線將再次采用中微半導體的刻蝕設備，足見臺積電對中微半導體技術的認可。
目前，中微半導體的介質刻蝕設備、硅通孔刻蝕設備、MOCVD設備等均已成功進入海內外重要客戶供應體系。在今年年中中微公司對外發(fā)布的信息中提到，中微通過創(chuàng)新驅動自主研發(fā)的等離子體刻蝕設備和硅通孔刻蝕設備已在國際主要芯片制造和封測廠商的生產(chǎn)線上廣泛應用于45納米到7納米及更先進的加工工藝和最先進的封裝工藝。截至今年年中，在亞洲地區(qū)40多條國際領先的生產(chǎn)線上運行的中微反應臺已將近800個。
有數(shù)據(jù)顯示，第三季度中國大陸半導體設備銷售額首次超越韓國，預計明年將成為全球最大半導體設備市場，中微半導體也有望迎來更大的發(fā)展。
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